涂胶、光刻、镀膜、刻蚀，各自做了什么？

材料与图形，在不同操作中形成

沉积让表面增加所需材料；涂胶覆盖光敏层；曝光把图形信息写入胶层；显影形成相应开口；刻蚀再把图形转移到待加工材料。剩余胶层在完成作用后被去除，表面继续进入后续处理。

下图采用正性光刻胶和一次减法图形转移。它便于理解各操作的分工，实际制造还可能采用其他胶体系、掩膜结构和图形化路线。

看一遍图形转移的过程

ASML 的工步介绍解释了光刻胶、曝光、显影和刻蚀之间的关系；TEL 的涂胶显影介绍说明这些操作可以通过相连的设备协同完成。

镀膜，是一个更宽泛的材料问题

日常所说的“镀膜”，在芯片制造中可以对应不同沉积技术。薄膜可能承担导电、绝缘、保护或其他功能；材料与目标结构不同，采用的方法也不同。

Lam 的沉积入门文章介绍 PVD、CVD 和 ALD 等方法。读者先需要理解的是：沉积方法决定材料怎样到达和形成在表面，后续操作则继续改变其图形或状态。

刻蚀，关注形状与材料选择

刻蚀需要控制去除哪些材料、去除到哪里，以及形成什么轮廓。均匀性、方向性和对不同材料的选择性，都可能影响最终结构。Lam 的刻蚀入门文章介绍了湿法和干法等技术方向。

某一步出现的形貌差异，需要结合相应原图、量测与过程条件理解。后续是否影响器件表现，还需要进一步证据。

一次循环，继续进入更大的制造路线

这次图形转移完成后，晶圆可能进入清洗、量测、另一轮材料处理或下一层结构加工。不同路线中的组合方式和顺序会变化。